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晶体二极管基础知识
晶体二极管的结构和符号用半导体做成的二极管称为晶体二极管，后续内容中二极管均指晶体二极管。它由管芯（主要是PN结），从P区和N区分别焊出的两根金属引线以及将它们封装起来的外壳组成P区引出线称为正极，N区引出线称为负极。
由于管芯结构的不同，二极管分为点接触型、面接触型和平面型，其结构如图1-3所示点接触型二极管PN结接触面小，适宜在高频电路、开关电路等小电流状况下使用；面接触型和平面型二极管PN结接触面大、载流量大，适宜在整流电路中使用。按用途可分为普通二极管、稳压二极管、发光二极管、变容二极管等，通常所说的二极管是指普通二极管
极管的文字符号为“VD”，图形符号如图1-4所示，箭头表示正向导通电流的方向。
二极管外壳除印有型号外，还印有极性的标志，如图1-5所示。大多数管壳上印有二极管图形符号表示正负极；有的在管壳一端印有色圈表示负极；有的在管壳一端印有“+”表示正极。使用时应注意识别（GPS定位器生产厂家）
二、晶体二极管的特性二极管的核心是PN结，PN结具有单向导电性，这是二极管的主要特性二极管的导电性能，由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流决定，这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。用于定量描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线，如图1-6所示。
由图1-6可见，二极管的导电特性可分为正向特性和反向特性两部分1.正向特性二极管加上正向电压时电流和电压的关系当二极管两端所加的正向电压由零逐渐增大时，开始时正向电流很小，几乎为零，二极管呈现很大的电阻，这个区域称为死区。硅二极管死区电压约为0.5V；锗二极管死区电压约为0.2V。在实际使用中，当二极管正偏电压小于死区电压时，视为其正向电流为零的状态。外加电压超过死区电压后，正向电流开始出现，直到等于导通电压，正向电流迅速增加，这时二极管处于正向导通状态。硅管的导通电压为0.6~0.7V，锗管的导通电压为0.2~0.3V。
2.反向特性二极管加反向电压时电流和电压的关系。（如何选购GPS天线）
当给二极管加反向电压时，形成的反向电流很小，而且在很大范围内基本不随反向电压的变化而变化，故这个区域称为反向截止区。反向截止时通过的电流称为反向饱和电流，通常硅管有几微安到几十微安；锗管有几十微安到几百微安。这个电流是衡量二极管质量优劣的重要参数，其值越小，二极管质量越好。一般情况下可以忽略反向饱和电流，认为二极管反向不导通如果反向电压不断增大到一定值时，反向电流会突然增大，这种现象称为反向击穿，这时极管两端所加的电压称为反向击穿电压。普通二极管正常使用时，是不允许出现这种现象的。（无线增益天线）
综上所述，二极管具有加一定的正向电压导通，加反向电压截止的特性。这种特性称为单向导电性二极管的“导通”与“截止”，可以用理想开关的“闭合”与“断开”来模拟，但应清楚它们之间的差异。二极管正向导通时，相当于开关闭合；二极管反向截止时，相当于开关断开。但是二极管又不能简单地用开关模拟，一是因为二极管的“开关”特性具有方向性（单向导通），这是理想开关不具有的；二是正向导通的二极管两端存在一个压降，对硅管而言为0.6~0.7V；三是反向截止的二极管有反向漏电流存在，该电流因数值较小（pA数量级）常忽略不计。因此，用开关模拟二极管可用图1-7所示电路示意。
从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。
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